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O património edificado molinológico no concelho de Porto de Mós: reflexão para a sua preservação e reutilização na Serra de Candeeiros

Ferreira, Paulo Jorge Silva
Fonte: Repositório Científico Lusófona Publicador: Repositório Científico Lusófona
Tipo: Dissertação de Mestrado
Português
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37.01%
Esta dissertação pretende apresentar uma reflexão sobre a caracterização das construções e métodos construtivos das edificações molinológicas, mais concretamente os moinhos de vento, existentes na Serra dos Candeeiros, no concelho de Porto de Mós. Estes moinhos são o testemunho das anteriores vivências da população local constituindo marcos na Serra geradores de nostalgia. Este facto associado ao seu contínuo abandono e consequente degradação, requerem uma solução que promova a sua proteção direcionada para uma reutilização sustentável, tendo em conta não só as condicionantes sócio-económicas, como o enquadramento legal local, respeitando ainda as características biofísicas da região. Como resultado surgiram algumas ideias que sugerem a reconversão dos moinhos previamente inventariados, para fins ecoturísticos promotores de um desenvolvimento sustentável.; This dissertation characterizes Serra dos Candeeiros` windmills building process in Porto de Mós county, while presenting a retrofitting strategy for this local patrimony. These objects bear the memories of old times and ways in this region and became symbols of its landscape which generate nostalgia among the local residents. Moreover its present abandonment and deterioration demands a solution for its protection and sustainable rehabilitation...

Residual stresses in TiN, DLC and MoS(2) coated surfaces with regard to their tribological fracture behaviour

HOLMBERG, Kenneth; RONKAINEN, Helena; LAUKKANEN, Anssi; WALLIN, Kim; HOGMARK, Sture; JACOBSON, Staffan; WIKLUND, Urban; SOUZA, Roberto M.; STAHLE, Per
Fonte: ELSEVIER SCIENCE SA Publicador: ELSEVIER SCIENCE SA
Tipo: Artigo de Revista Científica
Português
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36.92%
Thin hard coatings on components and tools are used increasingly due to the rapid development in deposition techniques, tribological performance and application skills. The residual stresses in a coated surface are crucial for its tribological performance. Compressive residual stresses in PVD deposited TiN and DLC coatings were measured to be in the range of 0.03-4 GPa on steel substrate and 0.1-1.3 GPa on silicon. MoS(2) coatings had tensional stresses in the range of 0.8-1.3 on steel and 0.16 GPa compressive stresses on silicon. The fracture pattern of coatings deposited on steel substrate were analysed both in bend testing and scratch testing. A micro-scale finite element method (FEM) modelling and stress simulation of a 2 mu m TiN-coated steel surface was carried out and showed a reduction of the generated tensile buckling stresses in front of the sliding tip when compressive residual stresses of 1 GPa were included in the model. However, this reduction is not similarly observed in the scratch groove behind the tip, possibly due to sliding contact-induced stress relaxation. Scratch and bending tests allowed calculation of the fracture toughness of the three coated surfaces, based on both empirical crack pattern observations and FEM stress calculation...

Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD.; Study and fabrication of MOS capacitor with PECVD SiOxNy.

Albertin, Katia Franklin
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 03/04/2003 Português
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37.25%
Neste trabalho foram fabricados e caracterizados capacitores MOS com camada dielétrica de oxinitreto de silício de diferentes composição química, depositada pela técnica de PECVD a baixa temperatura, com o intuito de estudar suas propriedades dielétricas e de interface visando à aplicação deste material em dispositivos MOS e de filme fino. Os capacitores foram fabricados sobre lâminas de silício do tipo p que passaram pelo processo de limpeza química inicial, seguida da deposição da camada dielétrica, fotogravação, metalização e sinterização. Os filmes de SiOxNy, utilizados como camada dielétrica, foram depositados pela técnica de PECVD à temperatura de 320ºC variando os fluxos dos gases precursores de forma a obter filmes com diferentes composições químicas. Os capacitores MOS foram caracterizados por medidas de capacitância e corrente em função da tensão, de onde foram extraídas a densidade de estados de interface, a densidade de carga efetiva, constante dielétrica e campo elétrico de ruptura dos filmes. Os resultados mostraram uma variação linear da constante dielétrica do filme em função da concentração de nitrogênio, indo do valor de 3,9, correspondente ao dióxido de silício estequiométrico (SiO2) à 7...

Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS.; Study of dielectric layers for MOS capacitors.

Albertin, Kátia Franklin
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 04/10/2007 Português
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37.2%
Foram estudados filmes de oxinitreto de silício obtidos por PECVD à 320°C, a partir da mistura gasosa de N2O+SiH4+He, com diferentes valores de pressão e potência de deposição com o objetivo de produzir boa qualidade de interface deste material com o Si e de obter uma baixa densidade de carga efetiva visando a aplicação desses filmes em dispositivos semicondutores MOS. Os resultados mostraram que com uma pressão de deposição de 0,160 mbar e potências menores que 125 W/cm2 é possível obter um valor de densidade de estados de interface (Dit) de 4x1010 eV-1.cm-2, campo elétrico de ruptura (Ebd) de 13 MV/cm, valores comparáveis ao SiO2 térmico e uma densidade de carga efetiva (Nss) de 4x1011 cm-2. Segundo resultados experimentais esse valor de Nss é o mínimo possível que se pode atingir com a limpeza química utilizada em nosso laboratório. Pode-se dizer que estes são resultados bastante interessantes considerando que se trata de um material obtido por PECVD à baixa temperatura, porém viável para aplicação em dispositivos MOS. Iniciando os estudos com dielétricos de maiores valores de constante dielétrica optamos por estudar filmes de TiOx (k=40-100), obtidos por sputtering reativo, a partir da mistura gasosa de Ar+O2 e utilizando alvo de Ti. Foram fabricados capacitores MOS com estes filmes e obteve-se valores de constante dielétrica que variaram de 40-160. Porém esses materiais ainda apresentavam valores apreciáveis de corrente de fuga que foram minimizadas em ordens de grandeza quando utilizados dielétricos de dupla camada com SiO2 ou SiOxNy (otimizado neste trabalho) na interface...

Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico.; Fabrication and characterization of ultrathin MOS gate oxides grown onto flat and stepped surfaces using conventional and pirogenic processes.

Souza, Ricardo de
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 30/11/2006 Português
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37.08%
Neste trabalho, investigou-se capacitores MOS fabricados sobre superfícies irregulares contendo formas retangulares periódicas com 100 nm de altura, obtidas a partir de corrosão por plasma localizadas. Os óxidos de porta com 4,5 nm de espessura foram crescidos em ambientes ultrapuros de O2 ou pirogênico a fim de comparar a uniformidade de cobertura sobre os degraus verticais dos perfis retangulares. Foi mostrado que a oxidação pirogênica ou convencional na temperatura de 850 ºC permite obter óxidos de porta sobre degraus com altura de 100nm com baixa corrente de fuga e alto campo de ruptura. Esse comportamento pode ser interpretado como óxidos de porta perfeitamente amoldados sobre os degraus de 100nm de altura. O impacto deste resultado é agora a possibilidade de implementar óxidos de porta para transistores de porta envolvente e FinFETs.; In this work, it was investigated MOS capacitors fabricated onto periodic rectangular shapes, 100 nm in height, obtained by localized plasma etching onto silicon wafer surfaces. 4.5-nm gate oxide growth was performed in ultrapure dry O2 or pyrogenic environments in order to compare the coverage uniformity at the step edges of rectangular shapes defined onto the silicon surfaces. It was shown that pyrogenic and conventional oxidation at 850 ºC allows one to obtain gate oxides on 100nm-stepped silicon surfaces with low leakage current and high dielectric breakdown field. This behavior can be understood as highly conformal gate oxides over silicon steps with height of 100 nm. The impact of this result is now the feasibility of implementing gate oxides for surrounding gate transistors (SGT's) and FinFETs.

Operação e modelagem de transistores MOS sem junções.; Operation and modeling of MOS transistors without junctions.

Doria, Renan Trevisoli
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 04/04/2013 Português
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37.01%
Neste trabalho é apresentado um estudo dos transistores MOS sem junções (Junctionless Nanowire Transistors - JNTs), cujo foco é a modelagem de suas características elétricas e a análise do funcionamento dos mesmos quanto à tensão de limiar, ponto invariante com a temperatura e operação analógica. Os JNTs possuem uma concentração de dopantes constante da fonte ao dreno sem apresentar gradientes. Eles foram desenvolvidos a fim de se evitar as implantações iônicas de fonte e dreno, que requerem condições rigorosamente controladas para se evitar a difusão de dopantes para o interior do canal em dispositivos de tamanho extremamente reduzido (sub-20 nm). Dessa forma, esses dispositivos permitem um maior escalamento, com um processo de fabricação simplificado. Os trabalhos recentes de modelagem desses transistores consideram dispositivos de canal longo, de forma geral o comprimento utilizado é de 1 µm, de porta dupla ou cilíndricos. Pouco tem sido feito relacionado à modelagem de JNTs porta tripla e a influência da temperatura no funcionamento dos mesmos. Assim, este trabalho tem como objetivo a modelagem do funcionamento dos dispositivos MOS sem junções de porta tripla quanto à tensão de limiar, potencial de superfície...

Os efeitos de fluxos de prótons sobre dispositivos MOS no espaço

Parizotto, Rodrigo
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Dissertação Formato: application/pdf
Português
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37.08%
Dispositivos microeletrônicos como células solares e circuitos integrados MOS em satélites, estão sujeitos ao bombardeamento de partículas de alta energia, especialmente os uxos de prótons. Os danos causados pela irradiação de prótons podem ser facilmente simulados usando as técnicas implantação iônica, uma vez que os estudos de con abilidade dos dispositivos em condições reais (no espaço) são despendiosos. A proposta deste trabalho é usar capacitores MOS para estudar a in uência do bombardeamento de prótons na degradação do tempo de vida de portadores minoritários, na mudança de corrente de fuga através do SiO2 e na mudança da carga efetiva na interface SiO2/Si. Assim como o tempo de vida está relacionado aos defeitos criados na estrutura cristalina devido às colisões das partículas com os átomos de Si, a corrente de fuga caracteriza a estabilidade do dielétrico e a carga efetiva mostra o quanto a tensão de limiar dos transistores MOS (VT) é afetada. Uma combinação de formação de zona desnuda na região de depleção e gettering por implanta ção iônica na face inferior das lâminas garantiu o melhoramento do tempo de vida nos capacitores MOS. Os aceleradores de íons do Laboratório de Implantação Iônica da UFRGS foram usados para produzir bombardeamentos de prótons com energias de 100keV ...

Estudo comparativo entre o modelo dinâmico BRAMS e os modelos estatísticos MOS e MOC

Ferreira, Simone Pereira
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Dissertação Formato: application/pdf
Português
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37.17%
Modelos numéricos de equações primitivas, tais como BRAMS, apresentam erros intrínsecos em suas soluções. Esses erros têm várias causas, entre as quais se pode citar: imperfeição do método numérico que aproxima as equações diferenciais por equações de diferenças finitas, resolução da grade, dificuldade em representar os termos não lineares das equações do modelo, entre outros. Neste trabalho são comparados dois métodos de pós-processamento estatístico, Model Outuput Statistics (MOS) e Model Outuput Calibration (MOC) para avaliar se é necessário e em caso afirmativo qual é o mais adequado para ser utilizado juntamente com o modelo BRAMS em execução no Laboratório de Meteorologia e Qualidade do Ar (LMQA/CEPSRM/UFRGS). Essas duas técnicas se mostram muito eficientes em compensar erros, porém a primeira tem a desvantagem de requerer uma grande base de dados e ainda a necessidade de alterar as equações quando ocorrem modificações no Modelo. O outro método difere do primeiro por calcular o erro da variável, e não o seu valor, e utilizar dados recentes para calcular a equação de regressão. Foram geradas previsões com saídas de 3 em 3h para o período de 01 de janeiro de 2008 até 31 dezembro de 2009...

Fonte de tensão de referencia ajustavel implementada com transistores MOS; Adjustable voltage reference source implemented with MOS transistors

João Paulo Cerquinho Cajueiro
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 18/11/2005 Português
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37.17%
Uma nova técnica de compensação de temperatura para implementar tensões de referência em circuitos CMOS é descrita, desde o seu fundamento teórico até a comprovação experimental feita com amostras de circuitos integrados protótipos que a implementam. A ténica proposta se baseia no fato de que a tensão entre gate1, e fonte, VGS, de um transistor MOS pode tanto aumentar como diminuir com o aumento da temperatura, dependendo da corrente com que opera. Com base nisto, é possível empilhar n transistores, que estejam polarizados com uma corrente adequada de tal maneira que a queda de tensão sobre esta pilha de transistores, que tem amplitude nVGS, tenha, ao mesmo tempo, a mesma taxa de variação térmica que a tensão VGS produzida por um único transistor. Em tais condições, a diferença entre estas duas tensões é constante, tornando-se uma referencia de tensão. Uma implementação alternativa à pilha de transistores para produzir a tensão nVGS consiste num único transistor de gate ?utuante no qual a tensão VGS equivalente tem amplitude ajustável em campo. Diversos circuitos que se baseiam nesta técnica foram projetados e alguns deles fabricados em tecnologia CMOS 0,35 µm.O desempenho do melhor circuito fabricado atingiu coe?ciente térmico de 100 ppm/°C na faixa térmica de -40 a 120 °C. Outras configurações foram simuladas mostrando que é possível atingir coeficientes térmicos menores que 10 ppm/°C. O estado da arte é representado por referências de tensão que têm coeficientes térmicos de 1 ppm/°C na mesma faixa térmica em que se caracterizam os circuitos desenvolvidos. Tais referências de tensão se baseiam principalmente nos circuitos chamados de bandgap. Há também...

Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS; High K gate insulators for MOS technology

Juliana Miyoshi
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 07/08/2008 Português
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37.2%
Filmes isolantes com alta constante dielétrica (high k) para a próxima geração (tecnologia CMOS de 32 nm), tais como óxido de titânio (TiOx), oxinitreto de titânio (TiOxNy), oxinitreto de titânio alumínio (AlxTiwOyNz), nitreto de titânio alumínio (AlxTiwNz) e óxido de titânio alumínio (AlxTiwOy) foram obtidos por evaporação por feixe de elétrons de Ti ou TiAl, com adicional nitretação ou oxinitretação ou oxidação por plasma ECR (Electron Cyclotron Resonance) em substratos de Si. Os filmes foram caracterizados por elipsometria (espessura), espectroscopia de emissão do infravermelho (FTIR) (ligações químicas) e microscopia de força atômica (AFM) (rugosidade da superfície). Os plasmas ECR foram caracterizados por espectroscopia por emissão óptica (OES). Estes filmes foram usados como isolantes de porta em capacitores MOS, que foram fabricados com eletrodos de Al e TiAl. Estes capacitores foram utilizados para a obtenção das medidas de capacitância - tensão (C-V) e corrente - tensão (I-V). Um valor relativo para a constante dielétrica de 3,9 foi adotado para extrair o valor de EOT dos filmes, a partir das medidas C-V sob região de forte acumulação, resultando em valores entre 1,1 nm e 1,5 nm, e densidades de carga efetiva em torno de 1012 cm-2. Das medidas I-V...

Adaptação cultural e validação da versão portuguesa do questionário Medical Outcomes Study Social Support Survey (MOS-SSS)

Alonso Fachado, Alfonso; Montes Martinez, A.; Menendez Villalva, C.; Pereira, M. Graça
Fonte: Universidade do Minho Publicador: Universidade do Minho
Tipo: Artigo de Revista Científica
Publicado em //2007 Português
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37.13%
O objectivo deste trabalho é calcular as propriedades psicométricas da versão portuguesa do questionário Medical Outcomes Study Social Support Survey (MOS-SSS). Este questionário foi traduzido e adaptado à cultura portuguesa. A amostra é constituída por 101 doentes com doença crónica, utentes de um centro de saúde rural de Portugal. A idade média é 63,4 anos; 56,4% são mulheres. 29% são analfabetos e 2% possuem estudos superiores. 78% sofrem de hipertensão arterial e 56,4% sofrem de diabetes mellitus tipo 2. A consistência interna foi avaliada com o alpha de Cronbach. Depois, foi realizada uma análise factorial exploratória e confirmatória com o objectivo de confirmar a validade e fiabilidade da escala e as suas características multidimensionais. A confiabilidade teste-reteste realizada às duas semanas foi estimada usando a análise kappa ponderado para as variáveis ordinais e o coeficiente de correlação intraclasse para as variáveis quantitativas. A alpha de Cronbach para as subescalas varia entre 0,873 e 0,967 no teste e 0,862 e 0,972 no reteste. A análise factorial exploratória revelou a existência de quatro factores (apoio emocional, material, afectivo e interacção social positiva) que explicam o 72...

Adaptação cultural e validação da versão Portuguesa : questionário medical outcomes study social support survey (MOS-SSS)

Alonso Fachado, Alfonso; Montes Martinez, A.; Menendez Villalva, C.; Pereira, M.
Fonte: Centro Editor Livreiro da Ordem dos Médicos Publicador: Centro Editor Livreiro da Ordem dos Médicos
Tipo: Artigo de Revista Científica
Publicado em //2007 Português
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37.01%
O objectivo deste trabalho é calcular as propriedades psicométricas da versão portuguesa do questionário Medical Outcomes Study Social Support Survey (MOS-SSS). Este questionário foi traduzido e adaptado a cultura portuguesa. A amostra e constituída por 101 doentes com doença crónica, utentes de um centro de saúde rural de Portugal. A idade média 63,4 anos; 56,4% são mulheres. 29% são analfabetos e 2% possuem estudos superiores. 78% sofrem de hipertensão arterial e 56,4% sofrem de diabetes mellitus tipo 2. A consistência interna foi avaliada como alpha de Cronbach. Depois, foi realizada uma análise factorial exploratória e confirmatória com o objectivo de confirmar a validade e fiabilidade da escala e as suas características multidimensionais. A confiabilidade teste-reteste realizada às duas semanas foi estimada usando a anàlise kappa ponderado para as variáveis ordinais e o coeficiente de correlação intraclasse para as variáveis quantitativas. O alpha de Cronbach para as subescalas varia entre 0,873 e 0,967 no teste e 0,862 e 0,972 no reteste. A análise factorial exploratória revelou a existência de quatro factores (apoio emocional, material, afectivo e interacção social positiva) que explicam o 72,71% da variância. A análise factorial confirmatória permite concluir a existência destes quatro factores que permitem aplicação da escala com os itens do questionário original. Os índices de ajustamento são satisfatórios e verificam a estrutura inicial...

Educação artística no património : uma acção no castelo de Porto de Mós

Silva, Rosana Oliveira, 1982-
Fonte: Universidade de Lisboa Publicador: Universidade de Lisboa
Tipo: Dissertação de Mestrado
Publicado em //2011 Português
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36.78%
Tese de mestrado, Educação artística, Universidade de Lisboa, Faculdade de Belas Artes, 2010; Os anexos, são videos que, por questões de direitos apenas serão visualizados no espaço da Biblioteca da FBAUL; The present thesis is undertaken in the field of art education in historical heritage contexts. The Porto de Mós castle, Portugal, is regarded as a valuable resource, able to accommodate educational activities. One specific activity was developed, focused on preschool children from the neighborhoods. In order to support this activity’s planning and evaluation, a full visiting schedule to different museum educational services and facilities was performed, either in Portugal or abroad: Museu Nacional de Arte Antiga, Museu Nacional de Arte Contemporânea – Museu do Chiado, Museu Colecção Berardo, Mosteiro da Batalha, Centro de Interpretação da Batalha de Aljubarrota, Museu Itaú Cultural de São Paulo, Museu Lasar Segall, Museu de Arte Contemporânea da Universidade de São Paulo. The museums and the educational services were reviewed in litterature. The activity was developed in three schools, encompassing five classes, ages between three and six. With the help of an assistant impersonating the knight character of D. Fuas Roupinho...

MOS – “Model Output Statistics” – Aplicação da metodologia para correcção das previsões de vento obtidas para Portugal Continental

Marujo, R.; Estanqueiro, Ana; Pires, C.
Fonte: Laboratório Nacional de Energia e Geologia Publicador: Laboratório Nacional de Energia e Geologia
Tipo: Conferência ou Objeto de Conferência
Publicado em /03/2010 Português
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36.92%
A previsão do vento com exactidão é actualmente uma ferramenta necessário para a análise do potencial e estimativa de produção de energia eólica. Apesar do progresso significativo nos modelos de previsão meteorológica, os modelos apresentam erros sistemáticos que podem ser corrigidos com a aplicação de modelos estatísticos, lineares ou não, a partir das estatísticas acumuladas de um certo modelo de previsão. Esses modelos correctivos têm o nome genérico de MOS (Model Output Statistics) que têm como base o uso de regressões multilineares. Neste estudo, realizaram-se previsões MOS para as 24, 48 e 72 horas, para as componentes horizontais do vento, assim como, para o prazo de previsão de 36 horas, nas 61 estações da rede do Instituto de Meteorologia Português. Os resultados mostram uma melhoria do erro médio quadrático na ordem de 80% na previsão, sendo menos significativa com o aumento do prazo de previsão.

Um estudo de climatologia diária da temperatura mínima, máxima e chuva acumulada e uma aplicação de "Model Output Statistics" (MOS) para a previsão de curto prazo no Estado do Paraná

Kim,Ilya S.; Beneti,Cesar A.; Vissotto Junior,Dornelles
Fonte: Sociedade Brasileira de Geofísica Publicador: Sociedade Brasileira de Geofísica
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/08/2001 Português
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37.08%
Foi feito um estudo de climatologia das anomalias diária da temperatura mínima, máxima e chuva acumulada com uso de dados das estações meteorológicas da rede do Instituto Agronômico do Paraná. Foi mostrado que a distribuição de freqüência de ocorrência das anomalias de temperatura mínima é quase normal, mas a distribuição de freqüência de ocorrência das anomalias de temperatura máxima é quase uniforme e a distribuição de freqüência de chuva tem uma assimetria positiva. Foi adaptado o MOS (Model Output Statistics), onde foram usados a saída do modelo numérico do National Center for Environmental Prediction (NCEP - EUA) do período de abril de 1997 a março de 2000 e os dados correspondentes de temperatura mínima, máxima e chuva acumulada de 26 estações do IAPAR. Na implementação do MOS foi aplicado o método de grupos análogos. O MOS foi implementado separadamente para os períodos abril-setembro (período do ano frio) e outubro-março (período do ano quente). Foram calculadas e avaliadas as previsões com a utilização do método de validação cruzada ("cross validation") de 1 a 4 dias para o período de abril de 1997 à março de 2000. A ocorrência de chuva é prevista com acerto de 78%, 76%...

Avaliação da qualidade de vida pós-cirurgia cardíaca na fase I da reabilitação através do questionário MOS SF-36

Gonçalves,FDP; Marinho,PEM; Maciel,MA; Galindo Filho,VC; Dornelas,de Andrade A
Fonte: Associação Brasileira de Pesquisa e Pós-Graduação em Fisioterapia Publicador: Associação Brasileira de Pesquisa e Pós-Graduação em Fisioterapia
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/01/2006 Português
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37.01%
INTRODUÇÃO: O questionário de qualidade de vida Medical Outcome Study Short Form -36 (MOS SF-36) permite monitorar condição de saúde antes e após o tratamento instituído, sendo sensível a melhora clínica. O objetivo desse estudo foi avaliar a qualidade de vida de pacientes submetidos à cirurgia de revascularização do miocárdio e que participaram de um programa de reabilitação cardíaca, através da aplicação do questionário MOS SF-36. Metodologia: Foram incluídos nesse estudo 24 indivíduos de ambos os sexos (15 homens e 9 mulheres) na faixa etária entre 23 e 77 anos (idade média 58 ± 6 anos) submetidos à cirurgia de revascularização do miocárdio, com quadro clínico estável e que participaram de um programa de reabilitação cardíaca fase I. O questionário foi aplicado em três momentos: antes, no 5º dia do pós-operatório e 2 meses após a cirurgia. Para análise estatística foi utilizado o teste de Wilcoxon para amostras pareadas. Resultados: Observou-se queda dos seguintes parâmetros Funcionamento do Organismo (p = 0,000), Limitação por Distúrbios Físicos (p = 0,002), Vitalidade (p = 0,003) e Dor (p = 0,000) após a cirurgia, havendo recuperação significativa 2 meses após (p = 0,008, p = 0...

Delay Analysis of neuron-MOS and Capacitive Threshold-Logic

Celinski, P.; Al-Sarawi, S.; Abbott, D.
Fonte: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.; Lebanon Publicador: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc.; Lebanon
Tipo: Conference paper
Publicado em //2000 Português
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37.01%
A model for the delay of neuron-PMOS (neu-MOS) and Capacitive Threshold-Logic (CTL) based logic circuits is presented for the first time. It is based on the analysis of the basic neuron-MOS and CTL gate structures. A closed form analytic expression for the delay of the threshold gate is derived. A relation for the delay in terms of an ordinary CMOS inverter delay expressed as a function of the number of inputs to the threshold gate is presented. This relation is shown to be useful in comparing the delay of logic circuit designs based on neu-MOS or CTL and ordinary CMOS.; Peter Celinski, Said Al-Sarawi, and Derek Abbott

Memristor MOS Content Addressable Memory (MCAM): Hybrid architecture for future high performance search engines

Eshraghian, K.; Cho, K.R.; Kavehei, O.; Kang, S.; Abbott, D.; Kang, S.M.
Fonte: IEEE-Inst Electrical Electronics Engineers Inc Publicador: IEEE-Inst Electrical Electronics Engineers Inc
Tipo: Artigo de Revista Científica
Publicado em //2011 Português
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36.92%
Large-capacity content addressable memory (CAM) is a key element in a wide variety of applications. The inevitable complexities of scaling MOS transistors introduce a major challenge in the realization of such systems. Convergence of disparate technologies, which are compatible with CMOS processing, may allow extension of Moore's Law for a few more years. This paper provides a new approach towards the design and modeling of Memory resistor (Memristor)-based CAM (MCAM) using a combination of memristor MOS devices to form the core of a memory/compare logic cell that forms the building block of the CAM architecture. The non-volatile characteristic and the nanoscale geometry together with compatibility of the memristor with CMOS processing technology increases the packing density, provides for new approaches towards power management through disabling CAM blocks without loss of stored data, reduces power dissipation, and has scope for speed improvement as the technology matures.; Kamran Eshraghian, Kyoung-Rok Cho, Omid Kavehei, Soon-Ku Kang, Derek Abbott and Sung-Mo Steve Kang

Estudio y modelado de la interfase Si-SiO2, usando estructuras MOS

Pacio,M.; Juárez,H.; Díaz,T.; Garcia,G.; Rosendo,E.; Mora,F.; Escalante,G.; Rodriguez,M.
Fonte: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Publicador: Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/12/2009 Português
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36.92%
A partir de la teoría de los procesos de generación y recombinación de Shockley-Read-Hall se presenta un modelo de la generación de portadores minoritarios en la interfase silicio-dióxido de silicio (Si-SiO2) de estructuras metal-óxido-semiconductor (MOS). Se obtuvieron las curvas experimentales de generación de las estructuras MOS con óxidos depositados por el método de depósito químico en fase de vapor a presión atmosférica (APCVD). Se muestra que estas curvas pueden presentar un incremento no lineal en la razón de generación, donde este incremento depende de las condiciones iniciales de polarización y cuya naturaleza se debe a la componente de generación superficial. Partiendo del modelo propuesto y de las curvas experimentales de generación, se calcularon los parámetros que caracterizan las trampas en la interfase, como lo son, la densidad de trampas, el coeficiente de emisión y la energía de activación.

Modelling the C-V characteristics of MOS capacitor on high resistivity silicon substrate for PIN photodetector applications

Luna-López,J.A; Aceves-Mijares,M; Oleksandr,Malik; Glaenzer,R
Fonte: Sociedad Mexicana de Física Publicador: Sociedad Mexicana de Física
Tipo: Artigo de Revista Científica Formato: text/html
Publicado em 01/02/2006 Português
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37.01%
This work proposes an electrical model to simulate the C-V measurements of the MOS capacitor on high resistivity silicon. High resistivity silicon is used as a substrate for PIN photo detectors. C-V MOS capacitor characteristics on high resistivity silicon substrates differ considerably from the C-V characteristics of low resistivity silicon substrates due to potential drop and majority and minority carrier response time. MOS C-V characteristics on high and low resistivity substrates at different frequencies were modelled by means of a series capacitor and resistor network. The system predicts the experimental results very well.